NPN-transistor BC558B, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v. Hölje: TO-92. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 100mA. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 0.5W. FT: 150 MHz. Frekvens: 150MHz. Funktion: Switching och AF-förstärkare. Förpackning: Ammo Pack. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 200mA. Konditionering: Ammo Pack. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.08V. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 30V. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Lge Technology. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34