NPN-transistor BC557B, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 50V

NPN-transistor BC557B, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 50V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.44kr
50-99
0.39kr
100-199
0.34kr
200+
0.26kr
+12351 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 292
Minimum: 10

NPN-transistor BC557B, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 50V. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Collector-Emitter Voltage VCEO: -45V. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 150MHz. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 100mA. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 200. Driftstemperatur: -...+150°C. Effekt: 0.5W. FT: 150 MHz. Få hfe: 200. Förpackning: -. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 200mA. Information: -. Komponentfamilj: PNP transistor. Konditionering: -. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 6pF. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 450. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.65V. Minsta hFE-förstärkning: 250. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BC. Spec info: komplementär transistor (par) BC547B. Spänning (Collector - Emitter): 45V. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Tillverkarens märkning: BC557B. Typ av transistor: PNP. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. VCBO med kollektorbas: -50V. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC557B
49 parametrar
Hölje
TO-92
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-226
Collector-Emitter Voltage VCEO
-45V
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
45V
Samlarström Ic [A], max.
100mA
Kollektorström
100mA
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
Bandbredd MHz
150MHz
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
100mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
200
Driftstemperatur
-...+150°C
Effekt
0.5W
FT
150 MHz
Få hfe
200
Gränsfrekvens ft [MHz]
150 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
200mA
Komponentfamilj
PNP transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
6pF
Max hFE-förstärkning
450
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.5W
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.65V
Minsta hFE-förstärkning
250
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.3V
Pd (effektförlust, max)
0.5W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
BC
Spec info
komplementär transistor (par) BC547B
Spänning (Collector - Emitter)
45V
Teknik
"Epitaxiell plan transistor"
Tillverkarens märkning
BC557B
Typ av transistor
PNP
Typ
transistor för lågeffektapplikationer
VCBO med kollektorbas
-50V
Vcbo
50V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil
Minsta kvantitet
10