NPN-transistor BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V
Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.69kr
50-99
0.58kr
100+
0.50kr
| Antal i lager: 990 |
NPN-transistor BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. FT: 150 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 200mA. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC546C. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Temperatur: +150°C. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Diodes Inc. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34
BC556C
23 parametrar
Kollektorström
100mA
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
FT
150 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
200mA
Max hFE-förstärkning
800
Minsta hFE-förstärkning
420
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.3V
Pd (effektförlust, max)
0.5W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) BC546C
Teknik
"Epitaxiell plan transistor"
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Diodes Inc
Minsta kvantitet
10