NPN-transistor BC556B, TO-92, TO-226, -65V, 65V, 100mA, 100mA, TO-92, 80V

NPN-transistor BC556B, TO-92, TO-226, -65V, 65V, 100mA, 100mA, TO-92, 80V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.49kr
50-99
0.41kr
100-499
0.36kr
500+
0.30kr
+18274 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 1163
Minimum: 10

NPN-transistor BC556B, TO-92, TO-226, -65V, 65V, 100mA, 100mA, TO-92, 80V. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Collector-Emitter Voltage VCEO: -65V. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 100MHz. C(tum): 9pF. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 100mA. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 200. Driftstemperatur: -...+150°C. Effekt: 0.5W. FT: 100 MHz. Få hfe: 200. Förpackning: -. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 200mA. Information: -. Komponentfamilj: PNP transistor. Konditionering: -. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 6pF. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 450. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Minsta hFE-förstärkning: 200. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BC. Spec info: komplementär transistor (par) BC546B. Spänning (Collector - Emitter): 65V. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Tillverkarens märkning: BC556B. Typ av transistor: PNP. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. VCBO med kollektorbas: -80V. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC556B
49 parametrar
Hölje
TO-92
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-226
Collector-Emitter Voltage VCEO
-65V
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
65V
Samlarström Ic [A], max.
100mA
Kollektorström
100mA
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
Bandbredd MHz
100MHz
C(tum)
9pF
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
100mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
200
Driftstemperatur
-...+150°C
Effekt
0.5W
FT
100 MHz
Få hfe
200
Gränsfrekvens ft [MHz]
150 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
200mA
Komponentfamilj
PNP transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
6pF
Max hFE-förstärkning
450
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.5W
Minsta hFE-förstärkning
200
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.3V
Pd (effektförlust, max)
0.5W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
BC
Spec info
komplementär transistor (par) BC546B
Spänning (Collector - Emitter)
65V
Teknik
"Epitaxiell plan transistor"
Tillverkarens märkning
BC556B
Typ av transistor
PNP
Typ
transistor för lågeffektapplikationer
VCBO med kollektorbas
-80V
Vcbo
80V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil
Minsta kvantitet
10