NPN-transistor BC328-25, -30V, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v

NPN-transistor BC328-25, -30V, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.67kr
50-99
0.57kr
100-199
0.52kr
200+
0.44kr
+760 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 249
Minimum: 10

NPN-transistor BC328-25, -30V, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Collector-Emitter Voltage VCEO: -30V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 0.63W. FT: 100 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 1A. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Polaritet: PNP. RoHS: ja. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Diotec Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC328-25
27 parametrar
Collector-Emitter Voltage VCEO
-30V
Kollektorström
0.8A
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92 ( Ammo Pack )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
0.63W
FT
100 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
1A
Max hFE-förstärkning
400
Minsta hFE-förstärkning
160
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.7V
Pd (effektförlust, max)
0.625W
Polaritet
PNP
RoHS
ja
Teknik
"Epitaxiell plan transistor"
Typ av transistor
PNP
Vcbo
30 v
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Diotec Semiconductor
Minsta kvantitet
10

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för BC328-25