NPN-transistor BC327-40, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V

NPN-transistor BC327-40, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.56kr
50-99
0.50kr
100-199
0.44kr
200+
0.35kr
+26437 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 287
Minimum: 10

NPN-transistor BC327-40, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Collector-Emitter Voltage VCEO: -45V. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Kollektorström: 0.8A. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 100MHz. CE-diod: nej. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 170. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 0.625W. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 250-600. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 1A. Information: -. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 12pF. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 630. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Minsta hFE-förstärkning: 250. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Polaritet: PNP. RoHS: ja. Serie: BC. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-40. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Tillverkarens märkning: BC327-40. Typ av transistor: PNP. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. VCBO med kollektorbas: -50V. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Diotec Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:56

Teknisk dokumentation (PDF)
BC327-40
46 parametrar
Hölje
TO-92
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-226
Collector-Emitter Voltage VCEO
-45V
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
45V
Samlarström Ic [A], max.
800mA
Kollektorström
0.8A
Hölje (enligt datablad)
TO-92 ( Ammo Pack )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
Bandbredd MHz
100MHz
CE-diod
nej
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
170
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
0.625W
FT
100 MHz
Funktion
hFE 250-600
Gränsfrekvens ft [MHz]
100 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
1A
Komponentfamilj
PNP transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
12pF
Max hFE-förstärkning
630
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.625W
Minsta hFE-förstärkning
250
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.7V
Pd (effektförlust, max)
0.625W
Polaritet
PNP
RoHS
ja
Serie
BC
Spec info
komplementär transistor (par) BC337-40
Teknik
"Epitaxiell plan transistor"
Tillverkarens märkning
BC327-40
Typ av transistor
PNP
Typ
transistor för lågeffektapplikationer
VCBO med kollektorbas
-50V
Vcbo
50V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Diotec Semiconductor
Minsta kvantitet
10