NPN-transistor BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V

NPN-transistor BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
9.59kr
5-24
8.22kr
25-49
7.02kr
50-99
6.39kr
100+
5.66kr
+166 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 44

NPN-transistor BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Collector-Emitter Voltage VCEO: -60V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Effekt: 0.85W. FT: 0.65 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 120. Maxfrekvens: 75MHz. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.65V. Pd (effektförlust, max): 0.85W. Polaritet: PNP. Teknik: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Temperatur: +175°C. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 85V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:56

Teknisk dokumentation (PDF)
BC303
25 parametrar
Collector-Emitter Voltage VCEO
-60V
Kollektorström
0.5A
Hölje
TO-39 ( TO-205 )
Hölje (enligt datablad)
TO-39
Kollektor-/emitterspänning Vceo
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Effekt
0.85W
FT
0.65 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Max hFE-förstärkning
120
Maxfrekvens
75MHz
Minsta hFE-förstärkning
40
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.65V
Pd (effektförlust, max)
0.85W
Polaritet
PNP
Teknik
EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Temperatur
+175°C
Typ av transistor
PNP
Vcbo
85V
Vebo
7V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för BC303