NPN-transistor BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

NPN-transistor BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.94kr
50-99
0.81kr
100-199
0.70kr
200+
0.54kr
+3333 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 845
Minimum: 10

NPN-transistor BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collector-Emitter Voltage VCEO: -50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Darlington-transistor?: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 1W. FT: 280 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 400. Maxfrekvens: 280MHz. Minsta hFE-förstärkning: 200. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Pd (effektförlust, max): 350mW. Polaritet: PNP. RoHS: ja. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:56

Teknisk dokumentation (PDF)
BC212B
28 parametrar
Collector-Emitter Voltage VCEO
-50V
Kollektorström
100mA
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Darlington-transistor?
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
1W
FT
280 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Max hFE-förstärkning
400
Maxfrekvens
280MHz
Minsta hFE-förstärkning
200
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.1V
Pd (effektförlust, max)
350mW
Polaritet
PNP
RoHS
ja
Teknik
"Epitaxiell plan transistor"
Typ av transistor
PNP
Vcbo
60V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil
Minsta kvantitet
10

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för BC212B