NPN-transistor BC161-16, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, -60V, 60V, 1A, 1A, TO-39, 60V

NPN-transistor BC161-16, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, -60V, 60V, 1A, 1A, TO-39, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
9.50kr
5-24
8.01kr
25-49
7.12kr
50-99
6.48kr
100+
5.55kr
+1377 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 49

NPN-transistor BC161-16, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, -60V, 60V, 1A, 1A, TO-39, 60V. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Kapsling (JEDEC-standard): TO-39. Collector-Emitter Voltage VCEO: -60V. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Kollektorström: 1A. Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 50MHz. C(tum): 180pF. CE-diod: nej. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 30. Driftstemperatur: -65...+200°C. Effekt: 0.65W. FT: 50 MHz. Funktion: -. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Information: -. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 30pF. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 250. Max temperatur: +175°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.65W. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Nuvarande Max 1: -1A. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Polaritet: PNP. RoHS: ja. Serie: BC. Spec info: komplementär transistor (par) BC141. Teknik: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(max): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Tillverkarens märkning: BC161-16. Typ av transistor: PNP. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. VCBO med kollektorbas: -60V. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:56

Teknisk dokumentation (PDF)
BC161-16
47 parametrar
Hölje
TO-39 ( TO-205 )
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-39
Collector-Emitter Voltage VCEO
-60V
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
60V
Samlarström Ic [A], max.
1A
Kollektorström
1A
Hölje (enligt datablad)
TO-39
Kollektor-/emitterspänning Vceo
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
Bandbredd MHz
50MHz
C(tum)
180pF
CE-diod
nej
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
30
Driftstemperatur
-65...+200°C
Effekt
0.65W
FT
50 MHz
Gränsfrekvens ft [MHz]
50 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Komponentfamilj
PNP transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
30pF
Max hFE-förstärkning
250
Max temperatur
+175°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.65W
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1V
Nuvarande Max 1
-1A
Pd (effektförlust, max)
0.8W
Polaritet
PNP
RoHS
ja
Serie
BC
Spec info
komplementär transistor (par) BC141
Teknik
EPITAXIAL TRANSISTORS
Tf(max)
650 ns
Tf(min)
500 ns
Tillverkarens märkning
BC161-16
Typ av transistor
PNP
Typ
transistor för lågeffektapplikationer
VCBO med kollektorbas
-60V
Vcbo
60V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil