NPN-transistor 2SC2240BL, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

NPN-transistor 2SC2240BL, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.81kr
5-24
22.04kr
25-49
20.80kr
50-99
19.62kr
100+
17.46kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: -10

NPN-transistor 2SC2240BL, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+125°C. FT: 100 MHz. Funktion: Lågt brus, ljudförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 3pF. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 350. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: C2240BL. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA970BL. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Temperatur: +125°C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:13

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC2240BL
27 parametrar
Kollektorström
0.1A
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
120V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+125°C
FT
100 MHz
Funktion
Lågt brus, ljudförstärkare
Halvledarmaterial
kisel
Kostnad)
3pF
Max hFE-förstärkning
700
Minsta hFE-förstärkning
350
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
C2240BL
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.3V
Pd (effektförlust, max)
0.3W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) 2SA970BL
Teknik
"Epitaxial Type (PCT Process)"
Temperatur
+125°C
Typ av transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SC2240BL