NPN-transistor 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

NPN-transistor 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
8.65kr
5-49
7.50kr
50-99
6.69kr
100-199
5.98kr
200+
5.14kr
Antal i lager: 78

NPN-transistor 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Darlington-transistor?: nej. Driftstemperatur: -55...+125°C. FT: 100 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 3pF. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: C224GR. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA970GR. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:13

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC2240GR
26 parametrar
Kollektorström
0.1A
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
120V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Darlington-transistor?
nej
Driftstemperatur
-55...+125°C
FT
100 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Kostnad)
3pF
Max hFE-förstärkning
400
Minsta hFE-förstärkning
200
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
C224GR
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.3V
Pd (effektförlust, max)
0.3W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) 2SA970GR
Teknik
"Epitaxial Type (PCT Process)"
Typ av transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba