NPN-transistor 2SB861, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: 47. CE-diod: nej. Darlington-transistor?: nej. Funktion: PNP transistor. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 5A. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 60. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd B: 10. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Pd (effektförlust, max): 30W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1138. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V. Originalprodukt från tillverkaren: Hitachi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:26