NPN-transistor 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Collector Current IC [A]: 8A, 12A. Effekt: 100W. FT: 10 MHz. Frekvens: 10MHz, 15MHz. Få hfe: 20...200. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 55. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: B668. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Pd (effektförlust, max): 80W. Polaritet: bipolär. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD718. Spänning (Collector - Emitter): 120V, 140V. Temperatur: +150°C. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Korea Electronics Semi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 03:51