NPN-transistor 2SB649A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 140 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 27pF. Max hFE-förstärkning: 200. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD669A. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 180V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Unisonic Technologies Co. Ltd. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 03:51