NPN-transistor 2SB526, M17/J, 90V/80V, 800mA

NPN-transistor 2SB526, M17/J, 90V/80V, 800mA

Kvantitet
Enhetspris
1+
25.98kr
Antal i lager: 2

NPN-transistor 2SB526, M17/J, 90V/80V, 800mA. Hölje: M17/J. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V/80V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: -.. Maximal förlust Ptot [W]: 10W. RoHS: nej. Tillverkarens märkning: -. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:40

Teknisk dokumentation (PDF)
2SB526
8 parametrar
Hölje
M17/J
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
90V/80V
Samlarström Ic [A], max.
800mA
Antal terminaler
3
Komponentfamilj
Pnp bipolär transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Maximal förlust Ptot [W]
10W
RoHS
nej