NPN-transistor 2SB1470, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V

NPN-transistor 2SB1470, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
94.50kr
5-24
86.91kr
25-49
80.83kr
50+
76.04kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Antal i lager: 2

NPN-transistor 2SB1470, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Darlington-transistor?: ja. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal för 120W Hi-Fi-utgång. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 15A. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 3500. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Teknik: Trippel diffusion planar typ darlington. Temperatur: +150°C. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Panasonic. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 03:51

Teknisk dokumentation (PDF)
2SB1470
27 parametrar
Kollektorström
8A
Hölje
TO-264 ( TOP-3L )
Hölje (enligt datablad)
TOP-3L
Kollektor-/emitterspänning Vceo
160V
Antal per fodral
2
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Darlington-transistor?
ja
FT
20 MHz
Funktion
Optimal för 120W Hi-Fi-utgång
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
15A
Max hFE-förstärkning
20000
Minsta hFE-förstärkning
3500
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
3V
Pd (effektförlust, max)
150W
RoHS
ja
Teknik
Trippel diffusion planar typ darlington
Temperatur
+150°C
Tf(max)
1.2us
Tf(min)
1.2us
Typ av transistor
PNP
Vcbo
160V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Panasonic