NPN-transistor 2SB1204, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V

NPN-transistor 2SB1204, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
48.46kr
5-9
44.22kr
10-24
40.87kr
25+
38.12kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

NPN-transistor 2SB1204, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Halvledarmaterial: kisel. Id(imp): 12A. Kostnad): 95pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1804. Tf (typ): 20 ns. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 07:35

Teknisk dokumentation (PDF)
2SB1204
22 parametrar
Kollektorström
8A
Hölje
TO-251 ( I-Pak )
Hölje (enligt datablad)
TO-251 ( I-Pak )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
FT
130 MHz
Funktion
High-Current switching, low-sat
Halvledarmaterial
kisel
Id(imp)
12A
Kostnad)
95pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.4V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.2V
Pd (effektförlust, max)
20W
Spec info
komplementär transistor (par) 2SD1804
Tf (typ)
20 ns
Typ av transistor
PNP
Vcbo
60V
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo