NPN-transistor 2SB1012, TO-126, 120V, 1.5A

NPN-transistor 2SB1012, TO-126, 120V, 1.5A

Kvantitet
Enhetspris
1+
12.07kr
Antal i lager: 1

NPN-transistor 2SB1012, TO-126, 120V, 1.5A. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Komponentfamilj: PNP Darlington Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: -.. Maximal förlust Ptot [W]: 8W. RoHS: nej. Tillverkarens märkning: -. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:40

Teknisk dokumentation (PDF)
2SB1012
8 parametrar
Hölje
TO-126
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
120V
Samlarström Ic [A], max.
1.5A
Antal terminaler
3
Komponentfamilj
PNP Darlington Transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Maximal förlust Ptot [W]
8W
RoHS
nej