NPN-transistor 2SA1941-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V

NPN-transistor 2SA1941-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
31.08kr
5-24
27.03kr
25-49
22.96kr
50+
21.07kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 144

NPN-transistor 2SA1941-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -...+150°C. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 320pF. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: A1941. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC5198. Temperatur: +150°C. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 140V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 07:35

Teknisk dokumentation (PDF)
2SA1941-TOS
26 parametrar
Kollektorström
10A
Hölje
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hölje (enligt datablad)
2-16C1A
Kollektor-/emitterspänning Vceo
140V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-...+150°C
FT
30 MHz
Funktion
HI-FI effektförstärkare
Halvledarmaterial
kisel
Kostnad)
320pF
Max hFE-förstärkning
160
Minsta hFE-förstärkning
80
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
A1941
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.8V
Pd (effektförlust, max)
100W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) 2SC5198
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
PNP
Vcbo
140V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SA1941-TOS