NPN-transistor 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

NPN-transistor 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
25.36kr
5-24
22.61kr
25-49
20.91kr
50-99
19.20kr
100+
16.10kr
Antal i lager: 17

NPN-transistor 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. C(tum): 1.7pF. CE-diod: nej. FT: 150 MHz. Funktion: video. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 200mA. Kostnad): 2.6pF. Max hFE-förstärkning: 320. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 1W. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Temperatur: +150°C. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2SA1370
25 parametrar
Kollektorström
100mA
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92M ( 9mm )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
C(tum)
1.7pF
CE-diod
nej
FT
150 MHz
Funktion
video
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
200mA
Kostnad)
2.6pF
Max hFE-förstärkning
320
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.6V
Minsta hFE-förstärkning
40
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
1W
Teknik
"Epitaxiell plan transistor"
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
PNP
Vcbo
200V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo