NPN-transistor 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): 2-8H1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -...+150°C. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 2.5pF. Max hFE-förstärkning: 240. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Minsta hFE-förstärkning: 80. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 5W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3423. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37