NPN-transistor 2SA1358Y, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F (2-8A1H). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -...+150°C. FT: 120 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 30pF. Max hFE-förstärkning: 240. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Minsta hFE-förstärkning: 120. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Pd (effektförlust, max): 10W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3421Y. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37