NPN-transistor 2SA1213Y, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): 2-5K1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 120 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 40pF. Max hFE-förstärkning: 240. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Minsta hFE-förstärkning: 120. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: NY. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Spec info: screentryck / SMD-kod NY. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37