NPN-transistor 2SA1145, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V

NPN-transistor 2SA1145, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
15.02kr
5-24
13.13kr
25-49
12.22kr
50-99
11.18kr
100+
9.64kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Antal i lager: 16

NPN-transistor 2SA1145, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 200 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: A1145 O. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Obs: 9mm. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2705. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Temperatur: +150°C. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2SA1145
26 parametrar
Kollektorström
50mA
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
FT
200 MHz
Funktion
ljudförstärkare
Halvledarmaterial
kisel
Max hFE-förstärkning
160
Minsta hFE-förstärkning
80
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
A1145 O
Mättnadsspänning VCE(lat)
1V
Obs
9mm
Pd (effektförlust, max)
0.8W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) 2SC2705
Teknik
"Epitaxial Type (PCT Process)"
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
PNP
Vcbo
150V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba