NPN-transistor 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92, 2-5F1B. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -...+125°C. FT: 80 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 4pF. Max hFE-förstärkning: 400. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Minsta hFE-förstärkning: 200. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Pd (effektförlust, max): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC1162. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37