NPN-transistor 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Samlarström Ic [A], max.: 1A. Kollektorström: 1A. Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. C(tum): 60pF. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 1A. Effekt: 800mW. FT: 100 MHz. Frekvens: 100MHz. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kapsling (JEDEC-standard): TO-39. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 12pF. Max hFE-förstärkning: 100. Max temperatur: +175°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.2V. Minsta hFE-förstärkning: 50. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 140V. Tillverkarens märkning: 2N3019. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37