NPN-transistor 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V

NPN-transistor 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.94kr
5-49
10.70kr
50-99
9.32kr
100+
8.51kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 619

NPN-transistor 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. FT: 100 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Teknik: Planar epitaxial transistor. Temperatur: +175°C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2N3019-ST
20 parametrar
Kollektorström
1A
Hölje
TO-39 ( TO-205 )
Hölje (enligt datablad)
TO-39
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
FT
100 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Max hFE-förstärkning
300
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.2V
Pd (effektförlust, max)
0.8W
RoHS
ja
Teknik
Planar epitaxial transistor
Temperatur
+175°C
Typ av transistor
NPN
Vcbo
140V
Vebo
7V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2N3019-ST