N-kanals transistor ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V

N-kanals transistor ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.41kr
5-24
9.83kr
25-49
8.58kr
50-99
7.51kr
100+
6.10kr
Antal i lager: 155

N-kanals transistor ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 70V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 298pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0uA. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kostnad): 35pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 11.5 ns. Td(på): 1.9 ns. Teknik: "Förbättringsläge MOSFET". Trr-diod (Min.): -. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: -. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Diodes Inc. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:05

Teknisk dokumentation (PDF)
ZXMN7A11GTA
28 parametrar
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
3.8A
Idss (max)
1uA
Resistans Rds På
0.13 Ohms
Hölje
SOT-223 ( TO-226 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-223
Spänning Vds(max)
70V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
298pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
0uA
Id(imp)
10A
Kanaltyp
N
Kostnad)
35pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
2W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
11.5 ns
Td(på)
1.9 ns
Teknik
"Förbättringsläge MOSFET"
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Diodes Inc.