N-kanals transistor YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms
Kvantitet
Enhetspris
1-49
14.62kr
50+
14.62kr
| Antal i lager: 1000 |
N-kanals transistor YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms. Drain-source spänning (Vds): 100V. Resistans Rds På: 0.0086 Ohms. Effekt: 125W. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 70A. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: Yangjie Electronic Technology. Antal i lager uppdaterad den 30/12/2025, 05:31
YJP70G10A
7 parametrar
Drain-source spänning (Vds)
100V
Resistans Rds På
0.0086 Ohms
Effekt
125W
Kanaltyp
N
Max dräneringsström
70A
Typ av transistor
MOSFET krafttransistor
Originalprodukt från tillverkaren
Yangjie Electronic Technology