N-kanals transistor YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB
Kvantitet
Enhetspris
1-9
22.10kr
10-19
17.74kr
20-29
16.23kr
30-49
14.81kr
50-149
13.68kr
150+
13.27kr
| Antal i lager: 369 |
N-kanals transistor YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 60V. Resistans Rds På: 0.0029 Ohms. Hölje: TO-220AB. Effekt: 260W. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 200A. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: Yangjie Electronic Technology. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 05:18
YJP200G06A
8 parametrar
Drain-source spänning (Vds)
60V
Resistans Rds På
0.0029 Ohms
Hölje
TO-220AB
Effekt
260W
Kanaltyp
N
Max dräneringsström
200A
Typ av transistor
MOSFET krafttransistor
Originalprodukt från tillverkaren
Yangjie Electronic Technology