N-kanals transistor YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB
Kvantitet
Enhetspris
1-9
21.47kr
10-19
17.23kr
20-29
15.76kr
30-49
14.39kr
50-149
13.29kr
150+
12.89kr
| Antal i lager: 349 |
N-kanals transistor YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 60V. Resistans Rds På: 0.0029 Ohms. Hölje: TO-220AB. Effekt: 260W. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 200A. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: Yangjie Electronic Technology. Antal i lager uppdaterad den 01/01/2026, 19:59
YJP200G06A
8 parametrar
Drain-source spänning (Vds)
60V
Resistans Rds På
0.0029 Ohms
Hölje
TO-220AB
Effekt
260W
Kanaltyp
N
Max dräneringsström
200A
Typ av transistor
MOSFET krafttransistor
Originalprodukt från tillverkaren
Yangjie Electronic Technology