N-kanals transistor YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB
Kvantitet
Enhetspris
1-4
25.37kr
5-19
21.01kr
20-29
18.97kr
30-49
17.32kr
50-99
16.02kr
100+
15.54kr
| Antal i lager: 430 |
N-kanals transistor YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 100V. Resistans Rds På: 0.0055 Ohms. Hölje: TO-220AB. Effekt: 260W. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 130A. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: Yangjie Electronic Technology. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 05:18
YJP130G10B
8 parametrar
Drain-source spänning (Vds)
100V
Resistans Rds På
0.0055 Ohms
Hölje
TO-220AB
Effekt
260W
Kanaltyp
N
Max dräneringsström
130A
Typ av transistor
MOSFET krafttransistor
Originalprodukt från tillverkaren
Yangjie Electronic Technology