N-kanals transistor TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V

N-kanals transistor TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
56.49kr
5-9
47.94kr
10-24
44.94kr
25-49
41.96kr
50+
38.06kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 75

N-kanals transistor TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.7 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10U1B. Spänning Vds(max): 650V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1350pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: nej. IDss (min): -. Id(imp): 30Ap. Kanaltyp: N. Kostnad): 135pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K8A65D. Pd (effektförlust, max): 45W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 75 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVII). Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

TK8A65D-STA4-Q-M
25 parametrar
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.7 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
2-10U1B
Spänning Vds(max)
650V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1350pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Switching Mode Power Supplies (SMPS)
G-S Skydd
nej
Id(imp)
30Ap
Kanaltyp
N
Kostnad)
135pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K8A65D
Pd (effektförlust, max)
45W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
75 ns
Td(på)
60 ns
Teknik
Field Effect (TT-MOSVII)
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för TK8A65D-STA4-Q-M