N-kanals transistor TK6A65D, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V

N-kanals transistor TK6A65D, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.32kr
5-24
19.87kr
25-49
17.36kr
50-99
15.76kr
100+
13.51kr
Antal i lager: 56

N-kanals transistor TK6A65D, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 650V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1050pF. Funktion: Omkopplingsregulator. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kostnad): 100pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 45W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 75 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

Teknisk dokumentation (PDF)
TK6A65D
29 parametrar
ID (T=25°C)
6A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.95 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
650V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1050pF
Funktion
Omkopplingsregulator
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
24A
Kanaltyp
N
Kostnad)
100pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
45W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
75 ns
Td(på)
60 ns
Teknik
Fälteffekttransistor
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
1300 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba