N-kanals transistor TK6A60D, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 800pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: nej. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kostnad): 100pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K6A60D. Pd (effektförlust, max): 40W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 60 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08