N-kanals transistor TIG056BF-1E, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V

N-kanals transistor TIG056BF-1E, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
68.58kr
5-9
63.44kr
10-24
59.30kr
25+
56.14kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

N-kanals transistor TIG056BF-1E, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F-3FS. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 430V. Antal terminaler: 3. C(tum): 5500pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Germanium diod: Dämpare. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 33V. Ic(puls): 240A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 240A. Kostnad): 100pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 3.6V. Olika: blixt, stroboskopkontroll. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Td(av): 140 ns. Td(på): 46 ns. Teknik: Enhancement type. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

Teknisk dokumentation (PDF)
TIG056BF-1E
27 parametrar
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F-3FS
Kollektor-/emitterspänning Vceo
430V
Antal terminaler
3
C(tum)
5500pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Low-saturation voltage, Ultra high speed switching
Germanium diod
Dämpare
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
2.5V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5V
Grind/sändarspänning VGE
33V
Ic(puls)
240A
Kanaltyp
N
Kollektorström
240A
Kostnad)
100pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
5V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
3.6V
Olika
blixt, stroboskopkontroll
Pd (effektförlust, max)
30W
RoHS
ja
Spec info
High speed hall time--tf=270nS(typ)
Td(av)
140 ns
Td(på)
46 ns
Teknik
Enhancement type
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor