N-kanals transistor SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

N-kanals transistor SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
35.11kr
5-24
30.53kr
25-49
27.25kr
50+
23.96kr
Antal i lager: 498

N-kanals transistor SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.003 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 3535pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Strömförsörjning, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 680pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 78W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Td(av): 35 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: TrenchFET® Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 41 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

Teknisk dokumentation (PDF)
SUP85N03-3M6P
32 parametrar
ID (T=100°C)
85A
ID (T=25°C)
85A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.003 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
3535pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Strömförsörjning, DC/DC-omvandlare
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
680pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
78W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
(D-S) 150°C MOSFET
Td(av)
35 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
TrenchFET® Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
41 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay