N-kanals transistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V

N-kanals transistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
46.34kr
5-14
39.91kr
15-29
36.17kr
30-59
33.80kr
60+
30.09kr
Antal i lager: 14

N-kanals transistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 2.7 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 1000V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1154pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: skyddad med zenerdiode. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Kostnad): 106pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: W5NK100Z. Pd (effektförlust, max): 125W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 51.5 ns. Td(på): 22.5 ns. Teknik: SuperMESH3™ Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 605 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

Teknisk dokumentation (PDF)
STW5NK100Z
31 parametrar
ID (T=100°C)
2.2A
ID (T=25°C)
3.5A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
2.7 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Spänning Vds(max)
1000V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
1154pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
skyddad med zenerdiode
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
14A
Kanaltyp
N
Kostnad)
106pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
W5NK100Z
Pd (effektförlust, max)
125W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
51.5 ns
Td(på)
22.5 ns
Teknik
SuperMESH3™ Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
605 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics