N-kanals transistor STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

N-kanals transistor STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
221.81kr
5-9
212.81kr
10-19
204.05kr
20+
195.42kr
Antal i lager: 35

N-kanals transistor STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 650V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 3800pF. Driftstemperatur: -65...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1250pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: W45NM60. Pd (effektförlust, max): 417W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Td(av): 16 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Trr-diod (Min.): 508 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

Teknisk dokumentation (PDF)
STW45NM60
31 parametrar
ID (T=100°C)
28A
ID (T=25°C)
45A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.09 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Spänning Vds(max)
650V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
3800pF
Driftstemperatur
-65...+150°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1250pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
W45NM60
Pd (effektförlust, max)
417W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
Idm--180Ap (pulsed)
Td(av)
16 ns
Td(på)
30 ns
Teknik
MDmesh PpwerMOSFET
Trr-diod (Min.)
508 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics