N-kanals transistor STW43NM60ND, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V

N-kanals transistor STW43NM60ND, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
188.40kr
5-9
177.74kr
10-19
158.63kr
20+
147.16kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

N-kanals transistor STW43NM60ND, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 4300pF. Funktion: Låg ingångskapacitans och grindladdning. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: N. Kostnad): 250pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 43NM60ND. Pd (effektförlust, max): 255W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: Lågt gate-ingångsmotstånd. Td(av): 120ns. Td(på): 30 ns. Teknik: MDmesh II. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

Teknisk dokumentation (PDF)
STW43NM60ND
31 parametrar
ID (T=100°C)
22A
ID (T=25°C)
35A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.075 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
4300pF
Funktion
Låg ingångskapacitans och grindladdning
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
140A
Kanaltyp
N
Kostnad)
250pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
43NM60ND
Pd (effektförlust, max)
255W
Port-/källspänning Vgs
25V
RoHS
ja
Spec info
Lågt gate-ingångsmotstånd
Td(av)
120ns
Td(på)
30 ns
Teknik
MDmesh II
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
190 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics