N-kanals transistor STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

N-kanals transistor STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
63.92kr
5-14
51.60kr
15-29
57.43kr
30-59
54.70kr
60+
49.61kr
Antal i lager: 51

N-kanals transistor STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 650V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1440pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kostnad): 60pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 28N65M2. Pd (effektförlust, max): 170W. Port-/källspänning Vgs: 25V. Td(av): 59 ns. Td(på): 13.4 ns. Teknik: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Trr-diod (Min.): 384 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

Teknisk dokumentation (PDF)
STW28N65M2
27 parametrar
ID (T=100°C)
13A
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.15 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Spänning Vds(max)
650V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1440pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
kopplingskretsar
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kostnad)
60pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
28N65M2
Pd (effektförlust, max)
170W
Port-/källspänning Vgs
25V
Td(av)
59 ns
Td(på)
13.4 ns
Teknik
MDmesh™ M2 Power MOSFETs
Trr-diod (Min.)
384 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V