N-kanals transistor STW20NM60, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1450pF. Driftstemperatur: -65...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kostnad): 350pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: W20NM60. Pd (effektförlust, max): 214W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Trr-diod (Min.): 510 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58