N-kanals transistor STW18NM80, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V

N-kanals transistor STW18NM80, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
80.72kr
5-24
73.38kr
25-49
61.94kr
50+
56.02kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

N-kanals transistor STW18NM80, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 100nA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1630pF. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10nA. Id(imp): 68A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 750pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 18NM80. Pd (effektförlust, max): 190W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatur: +150°C. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STW18NM80
30 parametrar
ID (T=100°C)
10.71A
ID (T=25°C)
17A
Idss (max)
100nA
Resistans Rds På
0.25 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
1630pF
Funktion
kopplingskretsar
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10nA
Id(imp)
68A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
750pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
18NM80
Pd (effektförlust, max)
190W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
Teknik
MDmesh PpwerMOSFET
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics