N-kanals transistor STW14NK50Z, TO-247, 500V, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, 500V. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50mA. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 54 ns. C(tum): 2000pF. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2000pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: 14A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.38 Ohms @ 6A. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: ja. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. IDss (min): 1mA. Id(imp): 48A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 24 ns. Kanaltyp: N. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 238pF. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: W14NK50Z. Pd (effektförlust, max): 150W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Td(av): 54 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Tillverkarens märkning: W14NK50Z. Trr-diod (Min.): 470 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58