N-kanals transistor STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

N-kanals transistor STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
52.00kr
5-24
46.02kr
25-49
38.84kr
50+
35.13kr
+23 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 12

N-kanals transistor STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V. Drain-source spänning (Vds): 600V. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 50mA. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 2030pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 150W. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1mA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 210pF. Max dräneringsström: 13A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: W13NK60Z. Pd (effektförlust, max): 160W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Td(av): 61 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STW13NK60Z
37 parametrar
Drain-source spänning (Vds)
600V
Resistans Rds På
0.48 Ohms
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
50mA
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
2030pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
150W
Funktion
HIGH Current, HIGH Speed Switching
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1mA
Id(imp)
40A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
210pF
Max dräneringsström
13A
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
W13NK60Z
Pd (effektförlust, max)
160W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
"EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET"
Td(av)
61 ns
Td(på)
22 ns
Teknik
Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
570 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för STW13NK60Z