N-kanals transistor STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

N-kanals transistor STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
61.54kr
5-14
53.91kr
15-29
47.80kr
30-59
44.26kr
60+
39.39kr
Antal i lager: 19

N-kanals transistor STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 3500pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Förbättrad ESD-kapacitet. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kostnad): 280pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: W12NK90Z. Pd (effektförlust, max): 230W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Td(av): 88 ns. Td(på): 31 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET-transistor skyddad av zenerdiod. Trr-diod (Min.): 964ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STW12NK90Z
32 parametrar
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
0.72 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Spänning Vds(max)
900V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
3500pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Förbättrad ESD-kapacitet
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
44A
Kanaltyp
N
Kostnad)
280pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
W12NK90Z
Pd (effektförlust, max)
230W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
"EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET"
Td(av)
88 ns
Td(på)
31 ns
Teknik
SuperMESH™ Power MOSFET-transistor skyddad av zenerdiod
Trr-diod (Min.)
964ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics