N-kanals transistor STW12NK80Z, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2620pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Förbättrad ESD-kapacitet. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 42A. Kanaltyp: N. Kostnad): 250pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: W12NK80Z. Pd (effektförlust, max): 190W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Td(av): 70 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET-transistor skyddad av zenerdiod. Trr-diod (Min.): 635 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58