N-kanals transistor STQ1NK60ZR-AP, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 13 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammopak. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 94pF. Driftstemperatur: -50...+150°C. Funktion: Zener-skyddad, ESD-förbättrad kapacitet. G-S Skydd: ja. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 1.2A. Kanaltyp: N. Kostnad): 17.6pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 1NK60ZR. Pd (effektförlust, max): 3W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 13 ns. Td(på): 5.5 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 135 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58