N-kanals transistor STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V

N-kanals transistor STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
25.49kr
5-24
21.97kr
25-49
19.56kr
50-99
17.75kr
100+
15.32kr
Antal i lager: 18

N-kanals transistor STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220FP. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1320pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 24.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 143pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P8NK80ZFP. Pd (effektförlust, max): 30W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 48 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STP8NK80ZFP
31 parametrar
ID (T=100°C)
3.9A
ID (T=25°C)
6.2A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
1.3 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO220FP
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1320pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
24.8A
Kanaltyp
N
Kostnad)
143pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
P8NK80ZFP
Pd (effektförlust, max)
30W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
48 ns
Td(på)
17 ns
Teknik
SuperMESH™Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
460 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics