N-kanals transistor STP80NF55-08, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-kanals transistor STP80NF55-08, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
45.80kr
5-24
37.38kr
25-49
32.34kr
50-99
28.08kr
100+
21.80kr
Antal i lager: 14

N-kanals transistor STP80NF55-08, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0065 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 3850pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: motorstyrning, ljudförstärkare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 320A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 800pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 300W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 70 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STP80NF55-08
31 parametrar
ID (T=100°C)
57A
ID (T=25°C)
80A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.0065 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
3850pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
motorstyrning, ljudförstärkare
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
320A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
800pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
300W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
70 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
STripFET II POWER MOSFET
Trr-diod (Min.)
80 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics