N-kanals transistor STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

N-kanals transistor STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
31.51kr
5-24
28.07kr
25-49
25.45kr
50-99
23.44kr
100+
19.82kr
Antal i lager: 2

N-kanals transistor STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.013 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 120V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4300pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 320A. Kanaltyp: N. Kostnad): 600pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P80NF12. Pd (effektförlust, max): 300W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 134 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Trr-diod (Min.): 155 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STP80NF12
31 parametrar
ID (T=100°C)
60A
ID (T=25°C)
80A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.013 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
120V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
4300pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
320A
Kanaltyp
N
Kostnad)
600pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
P80NF12
Pd (effektförlust, max)
300W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
134 ns
Td(på)
40 ns
Teknik
STripFET II POWER MOSFET
Trr-diod (Min.)
155 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics